(c)不同d时，希望CO2和N2的放电电流峰值曲线。

【图文导读】图一剥落MoS2纳米片结构表征图二 THAB-剥落MoS2图三溶液法制备的大尺寸薄膜晶体管图四MoS2薄膜晶体管的逻辑门和计算电路文献链接：谷歌Solution-processable2Dsemiconductorsforhighperformancelarge-areaelectronics(Nature,2018,DOI:10.1038/s41586-018-0574-4)本文由材料人编辑部学术组liunian供稿，谷歌材料牛编辑整理。【成果简介】加州大学段镶锋教授，发布黄昱教授（通讯作者），发布第一作者LinZhaoyang在Nature发表一篇题为Solution-processable2Dsemiconductorsforhighperformancelarge-areaelectronics的文章。

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